IGBT模塊材料

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT（雙極型三極管）和MOSFET（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的全控-電壓驅(qū)動(dòng)的功率半導(dǎo)體，主要用于汽車、逆變器、軌交等結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜的應(yīng)用領(lǐng)域。在新能源汽車領(lǐng)域，IGBT模塊占電動(dòng)車整車成本約5%左右，新能源汽車電控系統(tǒng)成本中占比約37%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。隨著混合動(dòng)力車/純電動(dòng)汽車（HEV/EV）需求和工業(yè)需求的大幅增長(zhǎng)，IGBT的發(fā)展?jié)摿Σ蝗菪∮U，而符合IGBT模塊框架性能的PPS也極具經(jīng)濟(jì)價(jià)值。